SiCパワーデバイス搭載Hブリッジ回路ブロック
HGCB-4A-401200（基板単体）
HGCB-4x4A-401200（基板4枚＋筐体セット） 

概要

SiCパワーデバイス搭載で200kHzの駆動が可能
多彩な回路方式に使えるHブリッジ回路ブロック

本製品はローム社製トレンチ型SiC「SCT3030AL」を搭載したHブリッジ（フルブリッジ）回路です。
HGCB-4×4-401200は4式のHブリッジ回路が1つの筐体に搭載されており、机上実験に適したコンパクト設計です。
様々なアプリケーションの実験システムを構築できます。

• 機能試作・基礎実験などパワーエレクトロニクスのR&D分野での使用に適した機能を持つ実験用ハードウェアです。
  実験環境の構築を迅速に行うことが可能です。
• HGCB-4A-401200はSiCパワーデバイス４個、ゲートドライブ回路が搭載されており、
  基板、ヒートシンク、電圧センサで構成されます。
• HGCB-4x4A-401200は、HGCB-4A-401200　４枚、ファン、筐体で構成されます。
• 各SiCパワーデバイスを駆動するゲート信号および電源を外部から入力します。
  本製品を使用するためには、別途、電解コンデンサ、24Vおよび5V電源、基板間配線、コントローラなどを
  準備していただく必要があります。
• 制御部と主回路部を絶縁した設計となっています。
• アーム短絡、ゲートドライブ部電圧低下、基板表面温度に対しての保護機能を有しており、
  ゲートパルスパターンが誤っていた場合にも破壊に至りにくい設計となっています。
• 回路図などの設計資料が付属しており、お客様が用途に合わせて改造可能です。

特長

実験環境を早く、簡単に構築可能

• SiCパワーデバイスに合わせて設計されたゲート駆動回路・ゲート電源回路を搭載しており、
  サージや誤点弧などの問題を気にせず駆動できるため、実験時のトラブル対応時間を削減できます。
• また、信号回路・電源回路共に絶縁されているため、ユーザは24V・5Vの電源とゲート信号のみでスイッチングをさせることが可能です。
• ファンクションジェネレータなどの単純な信号源の準備のみでも駆動可能なため、実験準備の時間を削減できます。

組合せの自由度が高く、汎用的に使用可能

• 基板内の素子毎に個別にゲート信号を入力して駆動することができるので、主回路の配線を変えるだけで、
  Hブリッジ以外の回路、例えば、ハーフブリッジ回路やチョッパ回路を容易に構成することが可能です。
• また、MMC、非接触給電、複数モータ駆動インバータ、カスケード接続インバータなど多彩なアプリケーションにご利用いただけます。

設計資料（回路図）を公開

• 回路図が付属するため、使用部品・回路構成を参照することが可能です。
• SiC駆動回路のリファレンスとして設計の流用ができるほか、
  回路パラメータチューニングなどの改造も可能となっており、設計・検討のサポートにご利用いただけます。

ラインナップ

品名	仕様	在庫	MOQ～	教育機関向け
HGCB-4A-401200 Hブリッジ回路ブロック（SiC） 基板単体			¥163000 (税込 ¥179300) 数量	アカデミック 特別価格
HGCB-4x4A-401200 Hブリッジ回路ブロック（SiC） 基板4枚+筐体セット			¥710000 (税込 ¥781000) 数量	アカデミック 特別価格

※表示価格は、税抜単価（カッコ内は税込単価）です。学校など教育機関向け『アカデミック特別価格』は、別途お問合せ下さい。

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パワーエレクトロニクス向け ラピッド・プロトタイピング ツール

SiCインバータ実験キット	GaNインバータ実験キット	三相インバータ（SiC）	三相インバータ（GaN）
回路ブロック（GaN）	Hブリッジ回路ブロック（SiC）	電圧/電流センサボード	電気/光 変換ボード
コントローラ	コントローラ（多ゲート）	開発支援キット

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